当今大电流、高电压应用日益复杂，如需满足其效率、安全和性能需求，就需要耐热性高且无电力损失的功率变流器和逆变器。无论是将电气设备的电压从交流电转换为直流电，还是使用逆变器将直流电转为交流电，电效率和热效率都至关重要。在这些应用的核心部分，罗杰斯的先进电子解决方案在提高 IGBT 和 MOSFET 连接件的效率、性能和可靠性方面发挥了重要作用。
绝缘栅双极型晶体管（IGBTs）具有高输入阻抗，因此在直流和交流电机驱动、不间断电源系统、电源和可再生能源（光伏能源和风能）中得以广泛应用。其栅极驱动要求更低，切换损耗更低，尺寸更小，成本更低，效率更高。IGBT 连接件通常是大电流、高电压应用的首选器件。IGBT 制造商必须在开关速度、导通损耗和耐用性之间取得平衡，从而使器件实现更高频率和效率。
功率 MOSFET 的速度相当快，高速切换可降低开关损耗。由于绝缘栅的缘故，所需栅极驱动功率非常小。在这些方面，功率 MOSFET 连接件通常被视为理想开关。可用于大部分电源、直流-直流变流器和低压电机控制器。超结型 MOSFET 的应用日益广泛，可用于提高效率并缩小电源尺寸。
陶瓷基板和母线排在 MOSFET 和 IGBT 中发挥着重要作用，包括增强性能，尽量降低电力损失并优化热管理。在这些功率模块中，功率基板可实现相互连接，并冷却组件。罗杰斯推出的高可靠性 curamik® 陶瓷基板具有重要作用，专门设计用于承载更大电流，实现更高电压的隔离，并在广泛的温度范围内运行。厚铜层具有导热性高、热容量大且散热性好的特点，这使 curamik 基板成为挑战 IGBT 和 MOSFET 连接件的理想选择。
RO-LINX® 母线排可在电源和 IGBT/MOSFET 或整个模组之间配电。这些扁平状紧凑型层压多层母线排是适合高效及冷却运行操作的完美解决方案。它们具有电感低、局部放电可控、导通大电流能力和结构紧凑的特点。
